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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QCCN, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.82 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-CQCC-N18 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 128 | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | QUAD | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB8265-20P | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MB8265A10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
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| MB8265A-10 | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 PAGE MODE DRAM, 100ns, CQCC18 |
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| MB8265A10F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB8265A-10P | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16 |
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| MB8265A-10Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, CDIP16 |
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| MB8265A-12 | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 PAGE MODE DRAM, 120ns, CQCC18 |
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| MB8265A12F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
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| MB8265A-12P | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, PDIP16 |
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| MB8265A-12Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, CDIP16 |
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