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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.83 |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 |
| 长度： | 19.3 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 128 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB8264A-15WCV | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, CQCC18 |
|
| MB8264A-15WTV | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, CQCC18 |
|
| MB8264A-15Z | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MB8265-20 | FUJITSU |
获取价格 |
64K X 1 PAGE MODE DRAM, 200 ns, CQCC18 |
|
| MB8265-20P | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MB8265A10 | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC, |
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| MB8265A-10 | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 PAGE MODE DRAM, 100ns, CQCC18 |
|
| MB8265A10F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MB8265A-10P | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16 |
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| MB8265A-10Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, CDIP16 |
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