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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | RAS ONLY/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T16 | 长度： | 19.585 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 128 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MB8264A-12Z | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, CDIP16 |
|
| MB8264A-15 | FUJITSU |
获取价格 |
MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY |
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| MB8264A15C | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MB8264A-15CV | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MB8264A15F | FUJITSU |
获取价格 |
Memory IC |
|
| MB8264A-15M | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, PDIP16 |
|
| MB8264A-15P | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MB8264A-15TV | FUJITSU |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MB8264A-15-W | FUJITSU |
获取价格 |
64KX1 PAGE MODE DRAM, 150ns, CDIP16, CERDIP-16 |
|
| MB8264A-15WCV | FUJITSU |
获取价格 |
Page Mode DRAM, 64KX1, 150ns, MOS, CQCC18 |
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