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MB8264A-15

更新时间: 2024-09-17 04:16:47
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富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 782K
描述
MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

MB8264A-15 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.78
Is Samacsys:N访问模式:PAGE
最长访问时间:150 ns其他特性:RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-CQCC-N18内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
认证状态:Not Qualified刷新周期:128
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

MB8264A-15 数据手册

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