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MB8264A-10M

更新时间: 2024-11-07 13:11:11
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 782K
描述
Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16

MB8264A-10M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:65536 words
字数代码:64000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:128子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MB8264A-10M 数据手册

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