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MB8264A-10

更新时间： 2024-11-07 04:16:47

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富士通 - FUJITSU		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	782K
描述
MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

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MB8264A-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	QCCN,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	访问模式：	PAGE
最长访问时间：	100 ns	其他特性：	RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-CQCC-N18	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	128
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB8264A-10CV	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, CQCC18
MB8264A-10M	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16
MB8264A-10P	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, PDIP16
MB8264A-10TV	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, CQCC18
MB8264A-10Z	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 100ns, MOS, CDIP16
MB8264A12	FUJITSU	获取价格	Memory IC,
MB8264A-12	FUJITSU	获取价格	MOS 65536-BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
MB8264A-12M	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, PDIP16
MB8264A-12P	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, MOS, PDIP16
MB8264A-12TV	FUJITSU	获取价格	Page Mode DRAM, 64KX1, 120ns, NMOS, CQCC18, FRIT SEALED, CERAMIC, LCC-18