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MB81V4265-70PFTN

更新时间： 2024-11-07 19:15:43

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	1298K
描述
EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40

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MB81V4265-70PFTN 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...27

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81V4265-70PJ	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
MB81V4265S-70LPFTN	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40
MB81V4400C-70PFTN	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MB81V4400C-70PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MB81V4405C-60PFTN	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MB81V4405C-70PFTN	FUJITSU	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
MB81V4800S-60PFTN	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
MB81V4800S-60PJ	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MB81V4800S-70PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
MB82	NJSEMI	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case BR-6