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MB81V4800S-70PFTR

更新时间： 2024-09-17 15:46:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	1261K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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MB81V4800S-70PFTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSOP2, TSOP28,.46	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP28,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.058 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB82	NJSEMI	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case BR-6
MB82	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB82008-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82008-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82008-25PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82009-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82009-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX9 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
MB82009-25PJ	FUJITSU	获取价格	128K X 9 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
MB82101BAN	MURATA	获取价格	HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS
MB82101BBN	MURATA	获取价格	HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS