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MB81V4405C-70PFTN

更新时间： 2024-11-07 14:53:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
30页	1447K
描述
EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

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MB81V4405C-70PFTN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP20/26,.36
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81V4800S-60PFTN	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
MB81V4800S-60PJ	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MB81V4800S-70PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
MB82	NJSEMI	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case BR-6
MB82	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB82008-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82008-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82008-25PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82009-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82009-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX9 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36