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MB81V4800S-60PJ

更新时间： 2024-09-17 15:46:47

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	1261K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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MB81V4800S-60PJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOJ, SOJ28,.44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.42 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.75 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81V4800S-70PFTR	FUJITSU	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
MB82	NJSEMI	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case BR-6
MB82	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
MB82008-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82008-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82008-25PJ	FUJITSU	获取价格	128KX8 STANDARD SRAM, 25ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
MB82009-17PJ	FUJITSU	获取价格	Memory IC
MB82009-20PJ	FUJITSU	获取价格	128KX9 STANDARD SRAM, 20ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
MB82009-25PJ	FUJITSU	获取价格	128K X 9 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
MB82101BAN	MURATA	获取价格	HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS