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MB81P643287-60FN

更新时间： 2024-11-09 20:02:03
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
65页 680K
描述
DDR DRAM, 2MX32, 1.3ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86

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MB81P643287-60FN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数：86Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：1.3 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：167 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G86JESD-609代码：e0
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：86字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSSOP86,.46,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：2,4,8最大待机电流：0.035 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.505 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

MB81P643287-60FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
DS05-11402-2E  
MEMORY  
CMOS  
8 x 256K x 32 BIT, FCRAMTM CORE  
BASED DOUBLE DATA RATE SDRAM  
MB81P643287-50/-60  
CMOS 8-BANK x 262,144-WORD x 32 BIT, FCRAM Core Based  
Synchronous Dynamic Random Access Memory  
with Double Data Rate  
■ DESCRIPTION  
The Fujitsu MB81P643287 is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) with Fujitsu  
advanced FCRAM (Fast Cycle Random Access Memory) Core Technology, containing 67,108,864 memory cells  
accessible in an 32-bit format. The MB81P643287 features a fully synchronous operation referenced to clock  
edge whereby all operations are synchronized at a clock input which enables high performance and simple user  
interface coexistence. The MB81P643287 is designed to reduce the complexity of using a standard dynamic RAM  
(DRAM) which requires many control signal timin.g constraints. The MB81P643287 uses Double Data Rate (DDR)  
where data bandwidth is twice of fast speed compared with regular SDRAMs.  
The MB81P643287 is ideally suited for Digital Visual Systems, High Performance Graphic Adapters, Hardware  
Accelerators, Buffers, and other applications where large memory density and high effective bandwidth are  
required and where a simple interface is needed.  
The MB81P643287 adopts new I/O interface circuitry, SSTL_2 interface, which is capable of extremely fast data  
transfer of quality under either terminated or point to point bus environment.  
■ PRODUCT LINE  
MB81P643287  
Parameter  
-50  
200 MHz Max.  
133 MHz Max.  
2.5 ns Min.  
-60  
167 MHz Max.  
111 MHz Max.  
3.0 ns Min.  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
Clock Frequency  
Burst Mode Cycle Time  
3.75 ns Min.  
4.5 ns Min.  
Random Address Cycle Time  
DQS Access Time From Clock  
Operating Current  
30 ns Min.  
36 ns Min.  
0.1 × tCK + 0.2 ns Max.  
460 mA Max.  
0.1 × tCK + 0.2 ns Max.  
405 mA Max.  
Power Down Current  
35 mA Max.  
Note: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.  
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与MB81P643287-60FN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB81P64847A-12FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 8MX8, 1ns, CMOS, PDSO66
MB81V16160A-60LPFTN FUJITSU

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
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 		1MX16 FAST PAGE DRAM, 50ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
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 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
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 		Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
MB81V16400B-60LPFTN FUJITSU

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 		Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

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