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Datasheet > MB81N261647A-24FN
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MB81N261647A-24FN

更新时间： 2024-11-07 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
50页 697K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.9ns, CMOS, PDSO66

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MB81N261647A-24FN 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSSOP, TSSOP66,.46
针数：66Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82最长访问时间：0.9 ns
最大时钟频率 (fCLK)：125 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：2,4JESD-30 代码：R-PDSO-G66
JESD-609代码：e0内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：DDR DRAM内存宽度：16
端子数量：66字数：16777216 words
字数代码：16000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP66,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
连续突发长度：2,4最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.165 mA
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MB81N261647A-24FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
AE1E  
MEMORY  
CMOS  
256M BIT  
DOUBLE DATA RATE FCRAM™  
MB81N26847A/261647A-22/-24/-30  
CMOS 4-BANK x 67,108,864 BIT  
Fast Cycle Random Access Memory  
with Double Data Rate  
■ DESCRIPTION  
The Fujitsu MB81N26847A/261647A is a CMOS Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM) containing  
268,435,456 memory cells accessible in an 8-bit or 16-bit format. The MB81N26847A/261647A features a fully  
synchronous operation referenced to clock edge whereby all operations are synchronized at a clock input which  
enables high performance and simple user interface coexistence. The MB81N26847A/261647A is designed to  
reduce the complexity of using a standard Dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing  
constraints. The MB81N26847A/261647A uses Double Data Rate (DDR) where data bandwidth is twice of fast  
speed compared with regular SDRAMs.  
The MB81N26847A/261647A is designed using Fujitsu advanced FCRAM Core Technology.  
The MB81N26847A/261647A is ideally suited for Enterprise Servers, Network Systems, Hardware Accelerators,  
Buffers, and other applications where large memory density and high effective bandwidth are required and where  
a simple interface is needed.  
The MB81N26847A/261647A adopts CMOS I/O interface circuitry, 2.5 V Half-strength SSTL-2 interface, which  
is capable of extremely fast data transfer of quality.  
■ PRODUCT LINE  
MB81N26847A (x8) / MB81N261647A (x16)  
Parameter  
-22  
-24  
-30  
CL = 3  
CL = 2  
154 MHz max  
133 MHz max  
22.5 ns max  
30 ns min  
143 MHz max  
125 MHz max  
24.0 ns max  
32 ns min  
133 MHz max  
100 MHz max  
30.0 ns max  
40 ns min  
Clock Frequency  
Random Access Time  
Random Address Cycle Time  
DQS Access Time From Clock  
Operating Current (IDD1S)  
Power Down Current (IDD2P)  
+/– 0.85 ns max  
170 mA max  
2 mA max  
+/– 0.9 ns max  
165 mA max  
2 mA max  
+/– 1.0 ns max  
150 mA max  
2 mA max  
Notice: FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.  
(AE1E) 1  
1234567...50

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与MB81N261647A-24FN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB81N261647A-30FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 16MX16, 1ns, CMOS, PDSO66
MB81N261647B-55FN FUJITSU

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 		Memory IC,
MB81N26167B-50FN FUJITSU

获取价格

 		16MX16 DDR DRAM, 0.75ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
MB81N26167B-55FN FUJITSU

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 		16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
MB81N26167B-60FN FUJITSU

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 		16MX16 DDR DRAM, 0.85ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
MB81N26847A-22FN FUJITSU

获取价格

 		DDR DRAM, 32MX8, 0.85ns, CMOS, PDSO66
MB81N26847A-24FN FUJITSU

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 		DDR DRAM, 32MX8, 0.9ns, CMOS, PDSO66
MB81N643289 FUJITSU

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 		8 x 256K x 32 BIT DOUBLE DATA RATE FCRAMTM
MB81N643289-50FN FUJITSU

获取价格

 		DDR DRAM, 2MX32, 1.1ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
MB81N643289-60FN FUJITSU

获取价格

 		DDR DRAM, 2MX32, 1.3ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86

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