Datasheet > MB81F643242B-70FN-S

MB81F643242B-70FN-S

更新时间： 2024-11-07 20:01:55

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
56页	1053K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86

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MB81F643242B-70FN-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.8
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MB81F643242B-70FN-S 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

AE4E

MEMORY

CMOS

4 × 512 K × 32 BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

MB81F643242B-70/-10

CMOS 4-Bank × 524,288-Word × 32 Bit

Synchronous Dynamic Random Access Memory

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB81F643242B is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing

67,108,864 memory cells accessible in a 32-bit format. The MB81F643242B features a fully synchronous

operation referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which

enables high performance and simple user interface coexistence. The MB81F643242B SDRAM is designed to

reduce the complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing

constraints, and may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a conventional DRAM.

The MB81F643242B is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic

adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and

where a simple interface is needed.

■ PRODUCT LINE & FEATURES

MB81F643242B

Reference Value@

Parameter

67 MHz, CL=3

-70

-10

CL = 2

CL = 3

3 - 2 - 2 clk min.

3 - 3 - 3 clk min.

143 MHz max.

10 ns min.

2 - 2 - 2 clk min.

3 - 3 - 3 clk min.

100 MHz max.

15 ns min.

2 - 2 - 2 clk min.

3 - 3 - 3 clk min.

67 MHz max.

20 ns min.

CL - t^RCD- t^RP

Clock Frequency

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

Burst Mode Cycle Time

7 ns min.

10 ns min.

15 ns min.

7 ns max.

6 ns max.

Access Time from Clock

6 ns max.

7 ns max.

6 ns max.

Operating Current

170 mA max.

125 mA max.

2 mA max.

105 mA max.

Power Down Mode Current (I^CC2P)

Self Refresh Current (I^CC6)

2 mA max.

• Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance

• LVTTL compatible I/O interface

• 4 K refresh cycles every 64 ms

• Four bank operation

• Programmable burst type, burst length, and

CAS latency

• Auto-and Self-refresh (every 15.6 µs)

• CKE power down mode

• Burst read/write operation and burst

read/single write operation capability

• Output Enable and Input Data Mask

12 3 4 5 6 7...56

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81F643242C	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-10	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-60	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-70	FUJITSU	获取价格	4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F64442B-103LFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F64842B-103EFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F64842B-103FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F64842B-103LFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F64842B-10LFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F64842C-102FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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