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MB81G83222-015PQ

更新时间: 2024-11-09 20:07:19
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 2027K
描述
Synchronous Graphics RAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100

MB81G83222-015PQ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFP包装说明:QFP, QFP100,.7X.9
针数:100Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:12 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):67 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.15 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.245 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

MB81G83222-015PQ 数据手册

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