是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | QFP, QFP100,.7X.9 |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 67 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.7X.9 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 3.15 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.245 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB81N261647A-22FN | FUJITSU |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.85ns, CMOS, PDSO66 | |
MB81N261647A-24FN | FUJITSU |
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DDR DRAM, 16MX16, 0.9ns, CMOS, PDSO66 | |
MB81N261647A-30FN | FUJITSU |
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DDR DRAM, 16MX16, 1ns, CMOS, PDSO66 | |
MB81N261647B-55FN | FUJITSU |
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Memory IC, | |
MB81N26167B-50FN | FUJITSU |
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16MX16 DDR DRAM, 0.75ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 | |
MB81N26167B-55FN | FUJITSU |
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16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 | |
MB81N26167B-60FN | FUJITSU |
获取价格 |
16MX16 DDR DRAM, 0.85ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 | |
MB81N26847A-22FN | FUJITSU |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.85ns, CMOS, PDSO66 | |
MB81N26847A-24FN | FUJITSU |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.9ns, CMOS, PDSO66 | |
MB81N643289 | FUJITSU |
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8 x 256K x 32 BIT DOUBLE DATA RATE FCRAMTM |