Datasheet > MB81F64842D-102FN

MB81F64842D-102FN

更新时间： 2024-09-17 14:53:07

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
45页	716K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MB81F64842D-102FN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP54,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MB81F64842D-102FN 数据手册

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号MB81F64842D-102FN的Datasheet PDF文件第7页

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11053-1E

MEMORY

CMOS

4 × 2 M × 8 BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

MB81F64842D-75/-102/-102L

CMOS 4-Bank × 2,097,152-Word × 8 Bit

Synchronous Dynamic Random Access Memory

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB81F64842D is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing

67,108,864 memory cells accessible in a 8-bit format. The MB81F64842D features a fully synchronous operation

referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which enables high

performance and simple user interface coexistence. The MB81F64842D SDRAM is designed to reduce the

complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing constraints, and

may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a conventional DRAM.

The MB81F64842D is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic

adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and

where a simple interface is needed.

■ PRODUCT LINE & FEATURES

MB81F64842D

Parameter

Reference Value

@66MHz(CL=2)

-75

-102/-102L

CL - t^RCD- t^RP

3 - 3 - 3 clk min.

133 MHz max.

10 ns min.

2 - 2 - 2 clk min.

100 MHz max.

10 ns min.

2 - 2 - 2 clk min.

66 MHz max.

15ns min.

Clock Frequency

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

Burst Mode Cycle Time

7.5 ns min.

6 ns max.

10 ns min.

8 ns max.

6 ns max.

Access Time from Clock

Operating Current

5.4 ns max.

85 mA max.

1 mA max.

6 ns max.

80 mA max.

65 mA max.

1 mA max.

Power Down Mode Current (I^CC2P)

Self Refresh Current (I^CC6)

1 mA max.

1 mA max./ 500 µA max.

• Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance

• LVTTL compatible I/O interface

• 4 K refresh cycles every 64 ms

• Four bank operation

• Programmable burst type, burst length, and

CAS latency

• Auto-and Self-refresh (every 15.6 µs)

• CKE power down mode

• Burst read/write operation and burst

read/single write operation capability

• Output Enable and Input Data Mask

12 3 4 5 6 7...45

中文翻译

下载PDF

与MB81F64842D-102FN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81F64842D-102LFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
MB81G163222--10TQ	FUJITSU	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MB81G163222--80TQ	FUJITSU	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
MB81G83222-010PQ	FUJITSU	获取价格	暂无描述
MB81G83222-015PQ	FUJITSU	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 256KX32, 12ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, QFP-100
MB81N261647A-22FN	FUJITSU	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.85ns, CMOS, PDSO66
MB81N261647A-24FN	FUJITSU	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.9ns, CMOS, PDSO66
MB81N261647A-30FN	FUJITSU	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 1ns, CMOS, PDSO66
MB81N261647B-55FN	FUJITSU	获取价格	Memory IC,
MB81N26167B-50FN	FUJITSU	获取价格	16MX16 DDR DRAM, 0.75ns, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66

与MB81F64842D-102FN相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

15
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

14
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

93
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

82

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB81F64842D-102FN

MB81F64842D-102FN 技术参数

MB81F64842D-102FN 数据手册

与MB81F64842D-102FN相关器件

与MB81F64842D-102FN相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MB81F64842D-102FN

MB81F64842D-102FN 技术参数

MB81F64842D-102FN 数据手册

与MB81F64842D-102FN相关器件

与MB81F64842D-102FN相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？