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MB81F161622B-103FN

更新时间: 2024-09-17 19:46:15
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
46页 2299K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50

MB81F161622B-103FN 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.49
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G50
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:50字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

MB81F161622B-103FN 数据手册

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