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MB81F641642D-10FN

更新时间： 2024-09-17 14:53:07
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 345K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54

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MB81F641642D-10FN 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：6 ns最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e0
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16端子数量：54
字数：4194304 words字数代码：4000000
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.16 mA
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MB81F641642D-10FN 数据手册

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FUJITSU SEMICONDUCTOR  
DATA SHEET  
AE4.1E  
MEMORY  
CMOS  
4 × 1 M × 16 BIT  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
MB81F641642D-75/-102/-102L  
CMOS 4-Bank × 1,048,576-Word × 16 Bit  
Synchronous Dynamic Random Access Memory  
■ DESCRIPTION  
The Fujitsu MB81F641642D is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing  
67,108,864 memory cells accessible in a 16-bit format. The MB81F641642D features a fully synchronous  
operation referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which  
enables high performance and simple user interface coexistence. The MB81F641642D SDRAM is designed to  
reduce the complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing  
constraints, and may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a conventional DRAM.  
The MB81F641642D is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic  
adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and  
where a simple interface is needed.  
■ PRODUCT LINE & FEATURES  
MB81F641642D  
Parameter  
Reference Value  
-75  
-102/-102L  
@66MHz(CL=2)  
2 - 2 - 2 clk min.  
66 MHz max.  
15ns min.  
CL - tRCD - tRP  
3 - 3 - 3 clk min.  
133 MHz max.  
10 ns min.  
2 - 2 - 2 clk min.  
100 MHz max.  
10 ns min.  
Clock Frequency  
CL = 2  
CL = 3  
CL = 2  
CL = 3  
Burst Mode Cycle Time  
7.5 ns min.  
6 ns max.  
10 ns min.  
10 ns min.  
6 ns max.  
8 ns max.  
Access Time From  
Clock  
6 ns max.  
6 ns max.  
6 ns max.  
Operating Current  
90 mA max.  
1 mA max.  
1 mA max.  
85 mA max.  
70 mA max.  
1 mA max.  
1 mA max.  
Power Down Mode Current (ICC2P)  
Self Refresh Current (ICC6)  
1 mA max.  
1 mA max./ 500 µA max.  
• Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance  
• Programmable burst type, burst length, and  
CAS latency  
• Auto-and Self-refresh (every 15.6 µs)  
• CKE power down mode  
• LVTTL compatible I/O interface  
• 4 K refresh cycles every 64 ms  
• Four bank operation  
• Burst read/write operation and burst  
read/single write operation capability  
• Output Enable and Input Data Mask  
1234567...48

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与MB81F641642D-10FN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MB81F641642D-75FN FUJITSU

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 		Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54
MB81F643242B-10FN FUJITSU

获取价格

 		Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-10FN-S FUJITSU

获取价格

 		Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-10FN-X FUJITSU

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 		MEMORY CMOS 4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242B-10FN-X-S FUJITSU

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 		DRAM
MB81F643242B-70FN FUJITSU

获取价格

 		Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242B-70FN-S FUJITSU

获取价格

 		Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-86
MB81F643242C FUJITSU

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 		4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-10 FUJITSU

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 		4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F643242C-60 FUJITSU

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 		4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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