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MB81ES653225-12

更新时间： 2024-09-16 21:55:11

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富士通 - FUJITSU		/
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44页	449K
描述
Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP

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MB81ES653225-12 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	, WAFER
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
最长访问时间：	8.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	85 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装等效代码：	WAFER
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	Base Number Matches：	1

MB81ES653225-12 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11411-2E

MEMORY

CMOS

2 × 1 M × 32-BIT

SINGLE DATA RATE I/F FCRAM^TM

Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP

MB81ES653225-12/-12L

CMOS 2-Bank × 1,048,576-Word × 32-Bit

Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM) with Single Data Rate for SiP

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB81ES653225 is a Single Data Rate Interface Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*)

containing 67,108,864 memory cells accessible in a 32-bit format. The MB81ES653225 features a fully synchro-

nous operation referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which

enables high performance and simple user interface coexistence.

The MB81ES653225 is utilized using a Fujitsu advanced FCRAM core technology and designed for low power

consumption and low voltage operation than regular synchronous DRAM (SDRAM) .

The MB81ES653225 is dedicated for SiP (System in a package) , and ideally suited for various embedded/

consumer applications including digital AVs and image processing where a large band width and low power

consumption memory is needed.

* : FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.

■ PRODUCT LINE

MB81ES653225

Parameter

12L

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

54.0 MHz

85.0 MHz

18.5 ns

11.7 ns

12 ns

Clock Frequency (Max)

Burst Mode Cycle Time (Min)

Access Time from Clock (Max)

8.7 ns

Operating Current (Max) (32 page length)

Power Down Mode Current (Max)

35 mA

0.5 mA

0.1 mA

Self Refresh Current (Max) (Ta = +85 °C)

1000 µA

450 µA

12 3 4 5 6 7...44

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MB81ES653225-12L	FUJITSU	获取价格	Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP
MB81F161622B-10	FUJITSU	获取价格	SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622B-102	FUJITSU	获取价格	SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622B-102FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
MB81F161622B-103FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
MB81F161622B-60FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
MB81F161622B-70FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
MB81F161622B-75	FUJITSU	获取价格	SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F161622B-80FN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
MB81F641642B-103LFN	FUJITSU	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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