是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DIE, DIE OR CHIP | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.82 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 66.7 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-XUUC-N84 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIE | 封装等效代码: | DIE OR CHIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | UNCASED CHIP |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.073 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB81ES173225-15WFKT-X | FUJITSU |
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SINGLE DATA RATE I/F FCRAM Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81ES253245 | FUJITSU |
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DRAM | |
MB81ES256445 | FUJITSU |
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DRAM | |
MB81ES641645A-07 | FUJITSU |
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64 Mbit SDR I/F Consumer FCRAM Consumer Embedded Application Specific Memory | |
MB81ES653225 | FUJITSU |
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Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81ES653225-12 | FUJITSU |
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Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81ES653225-12L | FUJITSU |
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Consumer/Embedded Application Specific Memory for SiP | |
MB81F161622B-10 | FUJITSU |
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SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
MB81F161622B-102 | FUJITSU |
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SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM | |
MB81F161622B-102FN | FUJITSU |
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Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |