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MB81E161622-12FH

更新时间： 2024-09-17 21:15:19

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	555K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, PLASTIC, TSOP2-54

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MB81E161622-12FH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.0006 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

MB81E161622-12FH 数据手册

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11403-2E

MEMORY

CMOS

2 × 512 K × 16 BIT

SINGLE DATA RATE I/F FCRAM^TM

Consumer/Embedded Application Specific Memory

MB81E161622-10/-12

CMOS 2-Bank × 524,288-Word × 16 Bit

Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM) with Single Data Rate

■ DESCRIPTION

The Fujitsu MB81E161622 is a Fast Cycle Random Access Memory (FCRAM*) containing 16,777,216 memory

cells accessible in a 16-bit format. The MB81E161622 features a fully synchronous operation referenced to a

positive edge clock, whereby all operations are synchronized at a clock input which enables high performance

and simple user interface coexistence.

The MB81E161622 is utilized using a Fujitsu advanced FCRAM core technology and designed to improve the

randomaccessperformanceandthecomplexityofcontrollingregularsynchronousDRAM(SDRAM)whichrequire

many wait state due to long latency constraints.

The MB81E161622 is ideally suited for various embedded/consumer applications including digital AVs, printers

and file storage where a large band width memory is needed.

* : FCRAM is a trademark of Fujitsu Limited, Japan.

■ PRODUCT LINEUP

MB81E161622

Parameter

-10

-12

Clock Frequency @CL = 2

100 MHz Max

15 ns Min

10 ns Min

10 ns Max

6 ns Max

84 MHz Max

20 ns Min

12 ns Min

14 ns Max

7 ns Max

CL = 1

CL = 2

CL = 1

CL = 2

Burst Mode Cycle Time

Access Time From Clock

RAS Cycle Time

30 ns Min

130 mA Max

36 ns Min

120 mA Max

Operating Current (ICC1)

Power Down Mode Current (I^CC2P)

Self-refresh Current (I^CC6)

0.6 mA Max

12 3 4 5 6 7...44

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