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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5502DTM
KSC5502DTM PDF预览

KSC5502DTM

更新时间： 2024-11-14 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3

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KSC5502DTM 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DPAK
包装说明：DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.4
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：4
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：11 MHzBase Number Matches：1

KSC5502DTM 数据手册

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April 2008  
KSC5502  
NPN Planar Silicon Transistor  
High Voltage Power Switch Mode Application  
•
•
•
Small Variance in Storage Time  
Wide Safe Operating Area  
Suitable for Electronic Ballast Application  
Equivalent Circuit  
C
B
1
TO-220  
E
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Absolute Maximum Ratings * TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Units  
Collector-Base Voltage  
1200  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
600  
12  
V
Collector Current (DC)  
2
A
ICP  
Collector Current (Pulse)**  
Base Current (DC)  
4
A
IB  
1
A
IBP  
Collector Current (Pulse)**  
Collector Dissipation(TC=25°C)  
Junction Temperature  
2
50  
A
PC  
W
°C  
°C  
mJ  
TJ  
150  
TSTG  
EAS  
Storage Junction Temperature Range  
Avalanche Energy(Tj=25°C)  
- 65 ~ 150  
2.5  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
** Pulse Test : Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%  
Thermal Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
2.5  
Units  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
RθJA  
85  
°C/W  
Ordering Information  
Part Number  
Marking  
Package  
Packing Method  
KSC5502TU  
J5502  
TO-220  
TUBE  
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSC5502 Rev. A1  
www.fairchildsemi.com  
1
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