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KSC5802ASDTBTU

更新时间： 2023-07-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 109K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5802ASDTBTU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：7JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC5802ASDTBTU 数据手册

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KSC5802  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
•
•
•
•
High Breakdown Voltage : BV  
=1500V  
CBO  
High Speed Switching : t =0.1µs (Typ.)  
F
Wide S.O.A  
For C-Monitor(69KHz)  
TO-3PF  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1500  
800  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6
V
I
I
10  
A
C
30  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
60  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Units  
mA  
I
I
I
V
V
V
=0, V = 1400V  
CES  
BE  
CB  
EB  
CE  
= 800V, I = 0  
10  
1
uA  
CBO  
EBO  
E
= 4V, I = 0  
mA  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 1A  
15  
7
48  
10  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 6A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Fall Time  
I
I
= 6A, I = 1.5A  
3
V
V
CE  
C
C
B
= 6A, I = 1.5A  
1.5  
0.3  
BE  
B
t
V
= 200V, I = 6A  
0.1  
µs  
F
CC  
C
I
= 1.2A, I = - 2.4A  
B1  
B2  
R = 33.3Ω  
L
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Item  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
2.08  
°C/W  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, December 2001  
1234567

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与KSC5802ASDTBTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5802ATBTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802AYDTBTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802D FAIRCHILD

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 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Built In Damper Diode)
KSC5802DTBTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
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 		Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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