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KSC5802DYDTBTU

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PF, 3 PIN

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KSC5802DYDTBTU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：7JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC5802DYDTBTU 数据手册

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KSC5802D  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
(Built In Damper Diode)  
•
•
•
•
High Breakdown Voltage BV  
=1500V  
CBO  
High Speed Switching : t =0.1µs (Typ.)  
F
Wide S.O.A  
For C-Monitor(69KHz)  
TO-3PF  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
Equivalent Circuit  
C
B
50  
Ω typ.  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1500  
800  
6
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
I
I
10  
A
C
30  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
60  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Units  
I
I
I
V
V
V
= 1400V, V =0  
mA  
µA  
CES  
CE  
CB  
EB  
BE  
= 800V, I = 0  
10  
CBO  
EBO  
E
= 4V, I = 0  
50  
250  
mA  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 1A  
15  
7
40  
11.5  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 6A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Fall Time  
I
I
= 6A, I = 1.5A  
3
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 6A, I = 1.5A  
1.5  
0.3  
B
t
V
= 200V, I = 6A  
0.1  
µs  
F
CC  
C
I
= 1.2A, I = - 2.4A  
B1  
B2  
R = 33.3Ω  
L
V
Damper Diode Turn On Voltage  
I = 6A  
2
V
F
F
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Item  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
2.08  
°C/W  
θjC  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
123456

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与KSC5802DYDTBTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5802SDTBTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802TBTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5803 KEC

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 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output(No Damper Diode)
KSC5803D FAIRCHILD

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