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KSC5603DJ69Z

更新时间： 2024-11-14 19:58:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 34K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5603DJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：11 MHzBase Number Matches：1

KSC5603DJ69Z 数据手册

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KSC5603D  
High Voltage High Speed Power Switch  
Internal schematic diagram  
C
Application  
(2)  
•
•
•
•
Wide Safe Operating Area  
Built-in Free Wheeling Diode  
Suitable for Electronic Ballast Application  
Small Variance in Storage Time  
(1)  
B
TO-220  
(3)  
1
E
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1600  
800  
12  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
I
I
3
A
C
6
A
CP  
B
2
A
*Base Current (Pulse)  
4
A
BP  
P
Power Dissipation(T =25°C)  
100  
150  
W
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
°C  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Characteristics  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
1.25  
Unit  
R
R
Thermal Resistance  
°C/W  
θjc  
62.5  
θja  
T
Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose  
: 1/8” from Case for 5 seconds  
270  
°C  
L
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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