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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5801
KSC5801 PDF预览

KSC5801

更新时间： 2024-01-06 09:54:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体显示器二极管晶体管功率双极晶体管高压放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In)

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KSC5801 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3PF
包装说明：TO-3PF, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC5801 数据手册

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KSC5801  
High Voltage Color Display Horizontal  
Deflection Output  
Equivalent Circuit  
C
(Damper Diode Built In)  
•
•
•
•
High Breakdown Voltage : BV  
=1500V  
CBO  
High Speed Switching : t =0.1µs (Typ.)  
B
F
Wide S.O.A  
For C-Monitor (48KHz) & C-TV (~21”)  
TO-3PF  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
50Ω typ.  
E
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
1500  
CBO  
CEO  
EBO  
800  
V
6
V
I
I
8
16  
A
C
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1
Units  
I
I
I
V
V
V
= 1400V, V = 0  
V
CES  
CE  
CB  
EB  
BE  
= 800V, I = 0  
10  
mA  
mA  
CBO  
EBO  
E
= 4V, I = 0  
40  
10  
4
250  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 1.0A  
30  
7
FE1  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 5.0A  
FE2  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Damper Diode Turn On Voltage  
Fall Time  
I
I
= 5A, I = 1.2A  
5
V
V
CE  
BE  
F
C
C
B
= 5A, I = 1.2A  
1.5  
2
B
I = 6A  
V
F
t
V
= 200V, I = 4A  
0.2  
µs  
F
CC  
C
I
= 0.8A, I = -1.6A  
B1  
B2  
R = 50Ω  
L
hermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Item  
Max  
Unit  
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
2.5  
°C/W  
θjC  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5801TBTU FAIRCHILD

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