5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSC5603DTU_NL
KSC5603DTU_NL PDF预览

KSC5603DTU_NL

更新时间： 2024-02-05 16:55:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 105K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC5603DTU_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：LEAD FREE, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：11 MHzBase Number Matches：1

KSC5603DTU_NL 数据手册

 浏览型号KSC5603DTU_NL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC5603DTU_NL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC5603DTU_NL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KSC5603DTU_NL的Datasheet PDF文件第5页 
February 2010  
KSC5603D  
NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor  
Features  
Equivalent Circuit  
C
• High Voltage High Speed Power Switch Application  
• Wide Safe Operating Area  
• Built-in Free Wheeling Diode  
B
• Suitable for Electronic Ballast Application  
• Small Variance in Storage Time  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
E
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
Units  
1600  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
800  
12  
V
3
A
ICP  
6
A
IB  
2
A
IBP  
*Base Current (Pulse)  
Power Dissipation(TC=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
4
100  
A
PC  
W
°C  
°C  
TJ  
150  
TSTG  
-65 to +150  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle<10%  
Thermal Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
RθJC  
Parameter  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
1.25  
Units  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance  
RθJA  
80  
Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose  
: 1/8” from Case for 5 seconds  
TL  
270  
°C  
© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSC5603D Rev. C2  
www.fairchildsemi.com  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与KSC5603DTU_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5603DWTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plast
KSC5801 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In)
KSC5801TBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5801YDTBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (No Damper Diode)
KSC5802ASDTBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802ATBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802AYDTBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802D FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Built In Damper Diode)
KSC5802DTBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

与KSC5603DTU_NL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证