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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5502D
KSC5502D PDF预览

KSC5502D

更新时间： 2024-09-20 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关电源开关高压
页数 文件大小 规格书
11页 139K
描述
High Voltage Power Switch Switching Application

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KSC5502D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.53最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：4JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：50 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：11 MHz

KSC5502D 数据手册

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KSC5502D/KSC5502DT  
D-PAK  
Equivalent Circuit  
C
High Voltage Power Switch Switching  
Application  
1
•
•
•
•
•
Wide Safe Operating Area  
TO-220  
Built-in Free-Wheeling Diode  
B
Suitable for Electronic Ballast Application  
Small Variance in Storage Time  
Two Package Choices : D-PAK or TO-220  
E
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
1200  
CBO  
CEO  
EBO  
600  
V
12  
V
I
I
I
I
2
A
C
4
A
CP  
B
1
A
*Base Current (Pulse)  
2
50  
A
BP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
mJ  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
2.5  
STG  
EAS  
Avalanche Energy(T =25°C)  
j
* Pulse Test : Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Characteristics  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
2.5  
Unit  
R
R
Thermal Resistance  
°C/W  
θjc  
62.5  
270  
θja  
T
Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose  
: 1/8” from Case for 5 seconds  
°C  
L
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2001  
1234567...11

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KSC5502D 替代型号

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