5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KSC5504DT
KSC5504DT PDF预览

KSC5504DT

更新时间： 2024-01-15 03:29:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关高压
页数 文件大小 规格书
10页 107K
描述
High Voltage High Speed Power Switch Application

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSC5504DT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：4JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：11 MHzBase Number Matches：1

KSC5504DT 数据手册

 浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KSC5504DT的Datasheet PDF文件第7页 
KSC5504D/KSC5504DT  
D2-PAK  
Equivalent Circuit  
C
High Voltage High Speed Power Switch  
Application  
1
•
•
•
•
•
Wide Safe Operating Area  
TO-220  
Built-in Free-Wheeling Diode  
B
Suitable for Electronic Ballast Application  
Small Variance in Storage Time  
Two Package Choices : D2-PAK or TO-220  
E
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
1200  
CBO  
CEO  
EBO  
600  
V
12  
V
I
I
I
I
4
A
C
8
A
CP  
B
2
A
*Base Current (Pulse)  
4
A
BP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
75  
150  
W
°C  
°C  
mJ  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
J
- 65 ~ 150  
3
STG  
E
Avalanche Energy(T =25°C)  
j
AS  
* Pulse Test : Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Characteristics  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
1.65  
Unit  
R
R
Thermal Resistance  
°C/W  
θjc  
θja  
62.5  
T
Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose  
: 1/8” from Case for 5 seconds  
270  
°C  
L
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与KSC5504DT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5504DTTU ROCHESTER

获取价格

 		4A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
KSC5603D FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage High Speed Power Switch Application
KSC5603D_10 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor
KSC5603DJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5603DTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5603DTU ONSEMI

获取价格

 		NPN硅晶体管的平面硅晶体管
KSC5603DTU_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5603DWTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plast
KSC5801 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In)
KSC5801TBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

与KSC5504DT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证