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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 11 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5603D | FAIRCHILD |
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High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| KSC5603D_10 | FAIRCHILD |
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NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor |
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| KSC5603DJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5603DTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5603DTU | ONSEMI |
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NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| KSC5603DTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5603DWTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plast |
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| KSC5801 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In) |
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| KSC5801TBTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5801YDTBTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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