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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5603D
KSC5603D PDF预览

KSC5603D

更新时间： 2024-01-28 15:36:22
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
5页 86K
描述
High Voltage High Speed Power Switch Application

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KSC5603D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-263
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：11 MHzBase Number Matches：1

KSC5603D 数据手册

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KSC5603D  
High Voltage High Speed Power Switch  
Equivalent Circuit  
C
Application  
•
•
•
•
Wide Safe Operating Area  
Built-in Free Wheeling Diode  
Suitable for Electronic Ballast Application  
Small Variance in Storage Time  
B
TO-220  
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
E
NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
1600  
800  
12  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
V
CEO  
EBO  
V
I
I
I
I
3
A
C
6
A
CP  
B
2
A
*Base Current (Pulse)  
4
A
BP  
P
Power Dissipation(T =25°C)  
100  
150  
W
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
J
T
Storage Temperature  
- 65 ~ 150  
°C  
STG  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle < 10%  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Characteristics  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rating  
1.25  
Unit  
R
R
Thermal Resistance  
°C/W  
θjc  
62.5  
θja  
T
Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose  
: 1/8” from Case for 5 seconds  
270  
°C  
L
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. C1, June 2003  
12345

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KSC5603D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSC5603DTU FAIRCHILD

完全替代

 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

与KSC5603D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5603D_10 FAIRCHILD

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 		NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor
KSC5603DJ69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5603DTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5603DTU ONSEMI

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获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5801YDTBTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5802 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (No Damper Diode)

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