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KSC5502DJ69Z

更新时间： 2024-11-14 19:51:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	125K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5502DJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.42
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	11 MHz
Base Number Matches：	1

KSC5502DJ69Z 数据手册

KSC5502D/KSC5502DT

D-PAK

Equivalent Circuit

High Voltage Power Switch Switching

Application

•

Wide Safe Operating Area

TO-220

Built-in Free-Wheeling Diode

Suitable for Electronic Ballast Application

Small Variance in Storage Time

Two Package Choices : D-PAK or TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

*Collector Current (Pulse)

Base Current (DC)

1200

CBO

CEO

EBO

600

*Base Current (Pulse)

Collector Dissipation (T =25°C)

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

150

- 65 ~ 150

2.5

STG

EAS

Avalanche Energy(T =25°C)

* Pulse Test : Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%

Thermal Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Characteristics

Junction to Case

Junction to Ambient

Rating

2.5

Unit

Thermal Resistance

°C/W

θjc

62.5

270

θja

Maximun Lead Temperature for Soldering Purpose

: 1/8” from Case for 5 seconds

°C

Rev. A1, June 2001

12 3 4 5 6 7...9

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