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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 11 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5504DT | FAIRCHILD |
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High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| KSC5504DTTU | ROCHESTER |
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4A, 600V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| KSC5603D | FAIRCHILD |
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High Voltage High Speed Power Switch Application |
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| KSC5603D_10 | FAIRCHILD |
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NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor |
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| KSC5603DJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5603DTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5603DTU | ONSEMI |
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NPN硅晶体管的平面硅晶体管 |
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| KSC5603DTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5603DWTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plast |
|
| KSC5801 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (Damper Diode Built In) |
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