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JANS2N6802E3

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI /
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9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JANS2N6802E3 数据手册

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与JANS2N6802E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N6804 MICROSEMI

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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
JANS2N6806 MICROSEMI

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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
JANS2N6845 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF
JANS2N6849 INFINEON

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POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)
JANS2N6849 MICROSEMI

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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
JANS2N6849U MICROSEMI

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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
JANS2N6849U INFINEON

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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANS2N6849U with Hermetic
JANS2N6851 INFINEON

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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
JANS2N6851U ETC

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-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANS2N6987 MICROSEMI

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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass