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JANS2N6849 PDF预览

JANS2N6849

更新时间： 2024-11-29 21:05:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 144K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39,

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JANS2N6849 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：92 mJ配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/564子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANS2N6849 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
P-CHANNEL MOSFET  
Qualified per MIL-PRF-19500/564  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N6849 2N6849U  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Drain – Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Value  
-100  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Gate – Source Voltage  
VGS  
± 20  
Continuous Drain Current  
ID1  
ID2  
-6.5  
Adc  
Adc  
TC = +25°C  
Continuous Drain Current  
-4.1  
TC = +100°C  
Max. Power Dissipation  
Ptl  
25 (1)  
0.3 (2)  
W
Ω
Drain to Source On State Resistance  
Operating & Storage Temperature  
Rds(on)  
Top, Tstg  
-55 to +150  
°C  
2N6849  
TO-205AF  
Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for TC > +25°C  
(2) VGS = -10Vdc, ID = -4.1A  
(formerly TO-39)  
SEE FIGURE 1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS = 0V, ID = -1mAdc  
V(BR)DSS  
-100  
Vdc  
Gate-Source Voltage (Threshold)  
VGS(th)1  
VGS(th)2  
VGS(th)3  
-2.0  
-1.0  
-5.0  
-4.0  
V
DS ≥ VGS, ID = -0.25mA  
VDS ≥ VGS, ID = -0.25mA, Tj = +125°C  
DS ≥ VGS, ID = -0.25mA, Tj = -55°C  
Vdc  
V
Gate Current  
GS = ±20V, VDS = 0V  
VGS = ±20V, VDS = 0V, Tj = +125°C  
IGSS1  
IGSS2  
±100  
±200  
V
nAdc  
Drain Current  
VGS = 0V, VDS = -80V  
2N3849U  
18 PIN LCC  
IDSS1  
IDSS2  
-25  
-0.25  
µAdc  
mAdc  
V
GS = 0V, VDS = -80V, Tj = +125°C  
Static Drain-Source On-State Resistance  
GS = -10V, ID = -4.1A pulsed  
SEE FIGURE 2  
V
rDS(on)1  
rDS(on)2  
0.3  
0.32  
Ω
Ω
VGS = -10V, ID = -6.5A pulsed  
Tj = -125°C  
VGS = -10V, ID = -4.1A pulsed  
rDS(on)3  
VSD  
0.54  
-4.3  
Ω
Diode Forward Voltage  
VGS = 0V, ID = -6.5A pulsed  
Vdc  
T4-LDS-0009 Rev. 2 (091456)  
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1234

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与JANS2N6849相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2N6849U MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
JANS2N6849U INFINEON

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 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANS2N6849U with Hermetic
JANS2N6851 INFINEON

获取价格

 		HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
JANS2N6851U ETC

获取价格

 		-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANS2N6987 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass
JANS2N6987/TR MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass
JANS2N6987U MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20
JANS2N6988 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JANS2N6989 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116
JANS2N6989U ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116

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