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JANS2N6849U

更新时间： 2024-11-05 14:56:03

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	403K
描述
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANS2N6849U with Hermetic Packaging

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JANS2N6849U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

JANS2N6849U 数据手册

PD-91716D

IRFE9130

JANTX2N6849U

JANTXV2N6849U

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/564

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

I_D

IRFE9130

-100V

-6.5A

0.30

LCC-18

Description

Features

 Surface Mount

 Small Footprint

 Alternative to TO-39 Package

 Hermetically Sealed

 Dynamic dv/dt Rating

 Avalanche Energy Rating

 Simple Drive Requirements

 Light Weight

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface mount

technology. Designed to be a close replacement for the TO-

39 package, the LCC will give designers the extra flexibility

they need to increase circuit board density. IR HiRel has

engineered the LCC package to meet the specific needs of

the power market by increasing the size of the bottom source

pad, thereby enhancing the thermal and electrical

performance. The lid of the package is grounded to the

source to reduce RF interference.

 ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= -10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= -10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-6.5

-4.1

-25

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.20

± 20

165

V_GS

E_AS

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

I_AR

E_AR

Avalanche Current 

-6.5

2.5

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

dv/dt

-5.5

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Package Mounting Surface Temp.

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (for 5 s)

0.42 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2019-02-27

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

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JANS2N6849U 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6849U	INFINEON	完全替代	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
JANTX2N6849U	INFINEON	完全替代	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
JANS2N6849U	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

与JANS2N6849U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N6851	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF)
JANS2N6851U	ETC	获取价格	-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package
JANS2N6987	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass
JANS2N6987/TR	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass
JANS2N6987U	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20
JANS2N6988	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JANS2N6989	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6989U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6990	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| FP
JANS2N7224	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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