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JANS2N6987U

更新时间： 2024-10-01 20:29:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20

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JANS2N6987U 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N20	针数：	20
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.25
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-CQCC-N20	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	20
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/558
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

JANS2N6987U 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANS2N6987U 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6987U	MICROSEMI	类似代替	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JANS2N6987U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N6988	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JANS2N6989	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6989U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6990	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| FP
JANS2N7224	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANS2N7225	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7227	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7228	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7236	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANS2N7236D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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