5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N7227 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N7228 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N7236 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| JANS2N7236D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| JANS2N7236U | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
|
| JANS2N7237 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| JANS2N7237D | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| JANS2N7237U | INFINEON |
获取价格 |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANS2N7237U with Hermetic Pack |
|
| JANS2N7372 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-254AA, Metal, |
|
| JANS2N7373 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
