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JANS2N7373

更新时间： 2024-01-31 15:14:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
14页 83K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA

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JANS2N7373 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-254AA
包装说明：FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANS2N7373 数据手册

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INCH-POUND  
The documentation process conversion  
measures necessary to comply with this  
revision shall be completed by 28 March 1998  
MIL-PRF-19500/613A  
28 December 1997  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/613  
30 July 1993  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, POWER,  
TYPE 2N7373, JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power transistors for use in high-speed power  
switching applications. Four levels of product assurance are provided as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA).  
1.3 Maximum ratings.  
P
1/  
P
2/  
V
V
V
I
C
I
C
T and T  
J STG  
T
T
CBO  
CEO  
EBO  
Type  
T
= +25 C  
T
= +25 C  
C
3/  
A
W
4
W
V dc  
100  
V dc  
8.5  
V dc  
5.0  
A dc  
5.0  
A dc  
10  
C
2N7373  
58  
-65 to +200  
1/ Derate linearly 22.8 mW/ C for TA > +25 C.  
2/ Derate linearly 331 mW/ C for TC > +25 C.  
3/ This value applies for PW 8.3 ms, duty cycle 1%.  
4/ This rating is based on the capability of the transistors to operate safely in the unclamped inductive load energy test circuit of  
figure 1.  
1.4 Primary electrical characteristics.  
h
FE2  
|h  
fe  
|
V
1/  
V
1/  
C
R
R
JC  
BE(SAT)2  
CE(SAT)2  
obo  
JA  
V
= 5.0 V dc  
V
= 5.0 V dc  
I
= 5.0 A dc  
I
= 5.0 A dc  
V
= 10 V dc  
I = 0 A dc  
E
CE  
CE  
C
C
CB  
I
= 2.5 A dc  
I
C
= 500 mA dc  
f = 10 MHz  
I
I
C
B = 500 mA dc  
B = 500 mA dc  
f = 1 MHz  
V dc  
2.2  
V dc  
1.5  
pF  
C/W  
88  
C/W  
3
Min  
70  
7.0  
250  
Max  
200  
1/ Pulse (see 4.5.1).  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this  
document should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street,  
Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end  
of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANS2ST3360K STMICROELECTRONICS

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