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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.68 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/564 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6851U | ETC |
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-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package |
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| JANS2N6987 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
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| JANS2N6987/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
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| JANS2N6987U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20 |
|
| JANS2N6988 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
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| JANS2N6989 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
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| JANS2N6989U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
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| JANS2N6990 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | FP |
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| JANS2N7224 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| JANS2N7225 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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