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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N7236U | INFINEON |
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POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1) |
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| JANS2N7237 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| JANS2N7237D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| JANS2N7237U | INFINEON |
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-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANS2N7237U with Hermetic Pack |
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| JANS2N7372 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-254AA, Metal, |
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| JANS2N7373 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
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| JANS2ST3360K | STMICROELECTRONICS |
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60 V、0.8 A高可靠性NPN-PNP互补晶体管 |
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| JANS3SF05 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PIN |
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| JANS3SF1 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PI |
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| JANS3SF2 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PI |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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