JANS2N7236U

更新时间： 2024-09-25 22:55:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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JANS2N7236U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/595
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANS2N7236U 数据手册

PD - 91553F

IRFN9140

JANTX2N7236U

JANTXV2N7236U

JANS2N7236U

REF:MIL-PRF-19500/595

100V, P-CHANNEL

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT(SMD-1)

Product Summary

HEXFET^®MOSFETTECHNOLOGY

Part Number RDS(on)

IRFN9140 0.20Ω -18A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The

efficient geometry design achieves very low on-state resis-

tance combined with high transconductance. HEXFET tran-

sistors also feature all of the well-established advantages

of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,

audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually

any application where high reliability is required. The

HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the

need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

SMD-1

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Surface Mount

Dynamic dv/dt Rating

Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-18

-11

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

-72

@ T = 25°C

125

W/°C

Linear Derating Factor

1.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

500

-18

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

12.5

-5.0

V/ns

dv/dt

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300 (for 5 S)

2.6(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

09/22/03

12 3 4 5 6 7

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JANS2N7236U 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N7236U	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANTX2N7236U	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
IRFM9140	INFINEON	类似代替	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与JANS2N7236U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N7237	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANS2N7237D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
JANS2N7237U	INFINEON	获取价格	-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANS2N7237U with Hermetic Pack
JANS2N7372	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-254AA, Metal,
JANS2N7373	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-254AA
JANS2ST3360K	STMICROELECTRONICS	获取价格	60 V、0.8 A高可靠性NPN-PNP互补晶体管
JANS3SF05	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PIN
JANS3SF1	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PI
JANS3SF2	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PI
JANS3SF4	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.5A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G4, 2 PI

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