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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-GDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 参考标准： | MIL-19500 |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6987U | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20 |
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| JANS2N6988 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
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| JANS2N6989 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
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| JANS2N6989U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
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| JANS2N6990 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | FP |
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| JANS2N7224 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANS2N7225 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N7227 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N7228 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JANS2N7236 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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