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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 92 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.345 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/564 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6849 | INFINEON |
完全替代  |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6849 with Hermetic Packag |
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| JANTXV2N6849 | INFINEON |
完全替代 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
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| JANTX2N6849 | INFINEON |
完全替代 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6849U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
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| JANS2N6849U | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANS2N6849U with Hermetic |
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| JANS2N6851 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| JANS2N6851U | ETC |
获取价格 |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package |
|
| JANS2N6987 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
|
| JANS2N6987/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
|
| JANS2N6987U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20 |
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| JANS2N6988 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
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| JANS2N6989 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
|
| JANS2N6989U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
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