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JANTX2N6849 PDF预览

JANTX2N6849

更新时间： 2024-01-18 21:36:48
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 135K
描述
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)

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JANTX2N6849 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.345 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/564子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTX2N6849 数据手册

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PD - 90550D  
IRFF9130  
JANTX2N6849  
JANTXV2N6849  
JANS2N6849  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-205AF)  
REF:MIL-PRF-19500/564  
100V, P-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number BVDSS RDS(on)  
IRFF9130 -100V 0.30Ω  
ID  
-6.5A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance.  
TO-39  
The HEXFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFETs such as volt-  
age control, very fast switching, ease of parelleling  
and temperature stability of the electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
They are well suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, chop-  
pers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
-6.5  
-4.1  
-25  
D
GS  
C
A
I
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/°C  
V
D
C
0.20  
±20  
V
GS  
Gate-to-SourceVoltage  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
92  
mJ  
AS  
I
—
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
—
mJ  
AR  
dv/dt  
-5.5  
-55 to 150  
V/ns  
T
J
T
STG  
StorageTemperature Range  
oC  
g
LeadTemperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/20/01  
1234567

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JANTX2N6849 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6849 INFINEON

完全替代

 -100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6849 with Hermetic Packag
JANS2N6849 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)

与JANTX2N6849相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N6849U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
JANTX2N6851 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)
JANTX2N6851U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N685E3 MICROSEMI

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 		Silicon Controlled Rectifier, SCR
JANTX2N686 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JANTX2N686E3 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, SCR
JANTX2N688 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JANTX2N688E3 MICROSEMI

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, SCR
JANTX2N6896 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA
JANTX2N6898 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE

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