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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6806 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| JANS2N6845 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-205AF |
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| JANS2N6849 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
|
| JANS2N6849 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| JANS2N6849U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M |
|
| JANS2N6849U | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANS2N6849U with Hermetic |
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| JANS2N6851 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| JANS2N6851U | ETC |
获取价格 |
-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package |
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| JANS2N6987 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
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| JANS2N6987/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
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