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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> JAN2N2369AUB
JAN2N2369AUB PDF预览

JAN2N2369AUB

更新时间： 2024-09-13 12:33:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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JAN2N2369AUB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
Is Samacsys：N集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-CDSO-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/317子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：18 ns
最大开启时间（吨）：12 nsBase Number Matches：1

JAN2N2369AUB 数据手册

 浏览型号JAN2N2369AUB的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/317  
DEVICES  
LEVELS  
2N2369A  
2N2369AU  
2N2369AUA  
2N2369AUB  
2N2369AUBC *  
2N4449  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
* Available to JANS quality level only.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
2N2369A / U / UA  
2N4449 / UB / UBC  
15  
20  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
Vdc  
2N2369A / U / UA  
2N4449 / UB / UBC  
4.5  
6.0  
TO-18 (TO-206AA)  
2N2369A  
VEBO  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
ICES  
40  
40  
Vdc  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
Total Power Dissipation @  
TA = +25°C  
2N2369A; 2N4449  
UA, UB, UBC  
U
0.36 (1)  
0.36 (1, 5)  
0.50 (4)  
PT  
W
TO-46 (TO-206AB)  
2N4449  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
Top, Tstg  
-65 to +200  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Ambient-to-Case  
2N2369A; 2N4449  
UA, UB, UBC  
U
400  
400 (5)  
350  
°C/W  
RθJA  
SURFACE MOUNT  
UA  
Note:  
1. Derate linearly 2.06 mW°/C above TA = +25°C.  
2. Derate linearly 4.76 mW°/C above TC = +95°C.  
3. Derate linearly 3.08 mW°/C above TC = +70°C.  
4. Derate linearly 3.44 mW°/C above TA = +54.5°C.  
5. Mounted on FR-4 PCB (1Oz. Cu) with contacts 20 mils larger than package pads.  
SURFACE MOUNT  
UB & UBC  
(UBC = Ceramic Lid Version)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
ICES  
15  
Vdc  
SURFACE MOUNT  
U (Dual Transistor)  
Collector-Base Cutoff Current  
VCE = 20Vdc  
0.4  
μAdc  
T4-LDS-0057 Rev. 2 (081394)  
Page 1 of 2  
12

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JAN2N2369AUB 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N2369AUB MICROSEMI

完全替代

 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N2369ACSM SEME-LAB

功能相似

 HIGH SPEED, MEDIUM POWER, NPN SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFAC

与JAN2N2369AUB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N2432 MICROSEMI

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