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JAN2N2432A PDF预览

JAN2N2432A

更新时间： 2024-09-13 20:22:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 斩波器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN

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JAN2N2432A 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.22
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JEDEC-95代码：TO-206AAJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/313F表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：CHOPPER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

JAN2N2432A 数据手册

 浏览型号JAN2N2432A的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 313  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
2N2432  
2N2432A  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Collector Voltage  
Collector Current  
Symbol 2N2432 2N2432A  
Unit  
Vdc  
30  
30  
15  
45  
45  
18  
VCEO  
VCBO  
VECO  
IC  
Vdc  
Vdc  
100  
mAdc  
(1)  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C  
300  
600  
mW  
mW  
PT  
@ TC = +250C (2)  
-65 to +200  
-65 to +175  
0C  
T
stg  
Operating & Storage Junction Temp. Range  
0C  
TJ  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
TO- 18*  
(TO-206AA)  
Symbol  
Max.  
Unit  
mW/ 0C  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.25  
R
qJC  
1) Derate linearly 2.0 mW/0C above TA > +250C  
2) Derate linearly 4.0 mW/0C above TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Emitter-Collector Breakdown Voltage  
15  
18  
10  
IE = 100 mAdc, IB = 0  
2N2432  
2N2432A  
Both  
Vdc  
V(BR)  
ECO  
IE = 10 mAdc, IB = 0  
Collector-Emitter Breakdown Current  
IC = 10 mAdc  
30  
45  
Vdc  
2N2432  
2N2432A  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCB = 25 Vdc  
VCB = 40 Vdc  
10  
10  
2N2432  
2N2432A  
ICES  
hAdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
120101  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
Page 1 of 2  
12

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JAN2N2432A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N2432A MICROSEMI

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206A
2N2432A MICROSEMI

类似代替

 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

与JAN2N2432A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N2481 MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
JAN2N2484 RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JAN2N2484UA ETC

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 		BJT
JAN2N2484UB ETC

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 		BJT
JAN2N2553 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | STR-10
JAN2N2555 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | STR-10
JAN2N2557 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2
JAN2N2559 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | IST-3RT-1/2
JAN2N2604 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46
JAN2N2604A MICROSEMI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39,

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