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JAN2N2880

更新时间: 2024-12-01 20:28:47
品牌 Logo 应用领域
APITECH 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 295K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 Pin

JAN2N2880 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.1Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-111
JESD-30 代码:O-MUPM-D3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
参考标准:MIL表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

JAN2N2880 数据手册

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