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JAN2N2906AUA

更新时间： 2024-11-01 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	62K
描述
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

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JAN2N2906AUA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-N4
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/291
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

JAN2N2906AUA 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 291

Devices

2N2906A

Qualified Level

JAN

2N2907A

2N2906AL

2N2906AUA

2N2906AUB

2N2907AL

2N2907AUA

2N2907AUB

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

V_CEO

All Types Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

V_CBO

TO-18* (TO-206AA)

5.0

600

V_EBO

mAdc

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

@ T_C= +25⁰C

0.4

1.8

⁰C

(1)

P_T

(2 / 3)

4 PIN*

2N2906AUA, 2N2907AUA

P_T

T_J_,T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

stg

1) Derate linearly 2.28 mW/⁰C for T_A> +25⁰C.

2) Derate linearly 10.3 mW/⁰C for T_C> +25⁰C.

3) For UA and UB surface mount case outlines: P_T= 1.16 W;

derate linearly 6.6mW/⁰C for T_C> +25⁰C.

3 PIN*

2N2906AUB, 2N2907AUB

*See appendix A for package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

V_CE= 60 Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

mAdc

hAdc

I_CBO

I_CES

I_EBO

hAdc

mAdc

V_EB= 5.0 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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JAN2N2906AUA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N2906AUA	MICROSEMI	完全替代	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
2N2906AUA	MICROSEMI	完全替代	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N2906AUA	MICROSEMI	完全替代	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

与JAN2N2906AUA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N2906AUB	MICROSEMI	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N2906AUBC	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JAN2N2907A	MICROSEMI	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N2907AL	MICROSEMI	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N2907AUA	MICROSEMI	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N2907AUB	MICROSEMI	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JAN2N2919	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILA
JAN2N2919L	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SIMILA
JAN2N2919U	ETC	获取价格	BJT
JAN2N2920	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-77,

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