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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-46 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N2605UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMI |
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| JAN2N2608 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL J-FET |
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| JAN2N2608UB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SURFACE |
|
| JAN2N2609 | MICROSEMI |
获取价格 |
P-CHANNEL J-FET |
|
| JAN2N2708 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72, |
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| JAN2N2812 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JAN2N2814 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
|
| JAN2N2857 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 40MA I(C) | TO-72 |
|
| JAN2N2857UB | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| JAN2N2880 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-111, Metal, 3 |
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